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L'axe transverse de cristalline de l'AFC est animé par le Comité Français de Croissance Cristalline (CFCC). Ce comité est constitué de représentants de réseaux professionnels en relation avec la croissance cristalline et de représentants du CA élus de l'AFC. Le CFCC élit son animateur tous les trois ans (2018-2021/2021-2024: Matias Velazquez) et ses membres actuels sont :

  • Romain Grossier et François Puel (CRISTAL),
  • Claude Sauter et Marie Colmont (CA-AFC),
  • Yann Le Godec (Réseau des Hautes Pressions),
  • Monika Spano (IOBCr, IOCG),
  • Philippe Veber et Valérie Dupray (Réseau CRISTECH),
  • Matias Velazquez (Réseau CMDO+, ENCG, IOCG) et Bertrand Ménaert (Réseau CMDO+),
  • Mathis Plapp et Silvère Akamatsu (GDR SAM),
  • Jean-Noël Aqua (GDR PULSE),
  • Wilfrid Prellier (GDR OXYFUN et réseau RECITAL).
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- CRISTAL rassemble la communauté française en recherche sur la cristallisation et la précipitation industrielles ;

- Le Réseau des Hautes Pressions est le réseau CNRS (60 laboratoires, 280 membres) dédié aux hautes pressions ;

- L'IOBCr est l'organisation internationale pour la cristallisation biologique (20 laboratoires) ;

- Le Réseau CRISTECH est le réseau CNRS (40 laboratoires, 300 membres) pour la croissance cristalline et la cristallisation ;

- Le Réseau CMDO+ est le réseau CNRS (40 laboratoires, 320 membres) qui se consacre aux cristaux, micro- et nanostructures, et dispositifs pour l'optique ;

- Le GDR PULSE (Processus ultimes en épitaxie des semiconducteurs) est le groupement de recherche CNRS (30 laboratoires, 250 membres) qui rassemble les spécialistes des mécanismes fondamentaux régissant la croissance épitaxiale, ses nouveaux sujets et techniques émergentes, ainsi que les propriétés et applications des systèmes épitaxiés ;

- Le GDR SAM (Solidification des alliages métalliques) est le groupement de recherche CNRS (22 laboratoires, 87 membres) dédié à la science de la solidification ;

- Le GDR OXYFUN (Oxydes fonctionnels: du matériau au dispositif) est le groupement de recherche CNRS (54 laboratoires, 460 membres) de la croissance de couches minces et de super-réseaux d'oxydes de métaux de transition à propriétés électroniques remarquables, de leurs caractérisations et intégration dans les dispositifs ;

- Le Réseau RECITAL (Réseau croissance et instrumentation en ablation laser) est un réseau régional (20 laboratoires, 40 membres) d'utilisateurs de techniques de dépôt par ablation laser pulsée et d'instrumentation associée appliquées à la croissance de couches minces cristallines.

Au sein de l'axe transverse croissance cristalline de l'AFC, les objectifs du CFCC sont :

Depuis sa création, le CFCC s’engage dans l’organisation conjointe avec la Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK, AK Optische Kristalle), du workshop franco-allemand annuel sur les cristaux laser, diélectriques et oxydes, WODIL. Ses membres se sont également mobilisés pour l’organisation et l’animation de la 3ème École Européenne de Croissance Cristalline (ESCG3) et de la 7ème Conférence Européenne de Croissance Cristalline (ECCG7) à Paris en juillet 2022.

L'axe transverse de croissance cristalline n'englobe pas uniquement les activités en croissance de cristaux massifs, mais inclut également des domaines technologiques et scientifiques tels que :

  • Fondamentaux de la nucléation et de la croissance cristalline : théorie, modélisation et expériences conçues pour élucider les aspects fondamentaux de la nucléation et de la croissance cristalline; Thermodynamique des interfaces; Pratique et simulation numérique de la croissance, état de l'art et prospectives sur les potentialités et les limites de la prédiction en simulation numérique de la croissance cristalline; Mesure des propriétés physico-chimiques et physiques des liquides manipulés en croissance cristalline.

Mesures statistiques de temps d'induction pour l'étude de la nucléation: suivi temporel de gouttes salines en évaporation menant à la nucléation/croissance d'un cristal unique par goutte - R. Grossier/R. Morin/S. Veesler - CINaM.

  • Croissance de cristaux massifs: mécanismes de cristallisation, déstabilisation morphologique d'interface de solidification, instabilités de croissance; Technologies de croissance et contrôle de procédés; Développement de nouvelles méthodes et approches en croissance de cristaux massifs.

main fig2Four de tirage tri arc par la méthode Czochralski ©Institut Néel/CNRS - Pôle C2MA.

 

  • Surfaces, interfaces, croissance épitaxiale, couches minces: structure et propriétés des interfaces solide-gaz, solide-liquide et solide-solide, morphologie de surface; aspects physiques, chimiques et technologiques de la formation des couches minces et de la croissance par épitaxie; science des interfaces des défauts de surface et des surfactants; évolution des contraintes mécaniques et thermomécaniques pendant la croissance; Stabilité morphologique.
  • Défauts structuraux et impuretés dans les matériaux cristallins: mécanismes de formation des défauts dans les cristaux; recherches sur la chimie des cristaux, la structure cristalline, les propriétés physiques basées sur les défauts structuraux; Défauts de surface et en volume.
  • Croissance cristalline et caractérisations des nanostructures, des systèmes confinés et de basse dimensionnalité: synthèse de nanoparticules, boîtes quantiques, nanofils, nanotubes, et autres structures de basse dimensionnalité; matériaux pour la fabrication additive; fabrication précise de structures à l'échelle nanométrique par lithographie, auto-assemblage, synthèse chimique; applications dans les domaines de la conversion et du stockage d'énergie, du magnétisme, de l'optoélectronique, du calcul quantique, des systèmes nanoélectromécaniques et de l'électronique des semiconducteurs.
  • Cristallisation des matériaux inorganiques: croissance de matériaux inorganiques avancés; cristallisation dans les systèmes solide-gaz, solide-liquide et solide-solide; Relations structure cristalline-propriétés physiques; mésocristaux et systèmes colloïdaux.

main fig3Monocristaux d’oxydes divers élaborés par fusion de zone verticale dans un four à image (à gauche), par la méthode Czochralski (à droite), et découpés orientés par la méthode de Laue -M. Velazquez – LPCES ; R. Belhoucif/P. Veber/M. Velazquez – ICMCB.

  • Cristallisation dans les systèmes biologiques et organiques: avancées en croissance de cristaux biomoléculaires, macromoléculaires et organiques; protéines et matériaux cristallins polymères; développements actuels en biominéralisation, cristallisation macromoléculaire, croissance cristalline de protéines et synthèse de matériaux bio-inspirés; biomimétisme, croissance de cristaux biomacromoléculaires et organiques inspirée de procédés naturels.
  • Cristallisation, technologies et contrôle de procédés industriels: cristallisation pour les applications industrielles; nouveaux équipements et technologies, innovations de la dernière décennie en cristallisation industrielle; Cristallisation pharmaceutique, en cosmétique et dans l'alimentaire; préparation des cristaux par découpe, polissage, structuration et mise en forme.
  • Nouveaux matériaux et structures: nouveaux matériaux et structures à propriétés spécifiques ou améliorées et/ou applications nouvelles; structures hybrides organiques et inorganiques; applications dans les domaines de la conversion et du stockage d'énergie, du magnétisme, de l'optoélectronique, du calcul quantique, des systèmes nanoélectromécaniques et de l'électronique des semiconducteurs.
  • Nouvelles méthodes et techniques de croissance cristalline: croissance cristalline sous divers champs externes et sous conditions extrêmes – champ électrique, champ magnétique, hyper et microgravité, radiation, vibration, ultrasons, hautes pressions, contraintes thermiques et mécaniques, etc.; Technologies de croissance avancées.
  • Avancées en méthodes de caractérisation et d'observation: méthodes de contrôle in situ et d'analyse des propriétés physiques, structurales et chimiques des cristaux; microscopie, spectroscopie, topographie, diffusion et autres techniques de caractérisation; progrès récents dans les méthodes de contrôle in situ.

Croissance dendritique colonnaire et écoulement, par solidification dirigée, d’un superalliage à base Nickel (CMSX-4), imagée par radiographie aux rayons X in situ (largeur du massif 8 mm) – IM2NP/Safran -



Croissance colonnaire dendritique d’un alliage Al-Cu (4% poids) et quantification de la teneur en Cu, imagée par radiographie aux rayons X in situ (largeur du massif 6 mm) - IM2NP -

main fig6Étude par microscopie des cristaux en solution.


Quasiment tous les types de matériaux sont concernés par le périmètre couvert par l'axe transverse de croissance cristalline de l'AFC :

  • Semiconducteurs III-V (croissance de massifs et croissance par épitaxie);
  • Semiconducteurs du groupe IV (progrès les plus récents en croissance de semiconducteurs du groupe IV tels que le Si, le Ge, et SiGe);
  • Matériaux 2D (croissance et application du graphène et autres matériaux bidimensionnels);
  • Matériaux oxydes et II-VI (croissance de HgCdTe, ZnSe, ZnO et CdTe, aussi bien que d'autres semiconducteurs II-VI et matériaux oxydes);
  • Matériaux pour la spintronique (croissance de matériaux spintroniques incluant les semiconducteurs magnétiques dilués, les oxydes et les métaux);
  • Matériaux pour les dispositifs optiques (croissance cristalline et caractérisation de matériaux pour les lasers, l'optique non linéaire, les cellules solaires, la magnétooptique, etc.);
  • Matériaux pour les dispositifs électroniques (préparation et caractérisation de matériaux avancés);
  • Matériaux pour les dispositifs organiques et bio-applications (matériaux fonctionnels et dispositifs pour l'électronique organique et bio-applications. Croissance de couches minces, auto-assemblage et auto-organisation);
  • Semiconducteurs nitrures (progrès récents et orientations futures dans le domaine des substrats massifs et de la croissance cristalline de couches minces de nitrures du groupe III);
  • Carbure de silicium (avancées technologiques et scientifiques dans le domaine du SiC et matériaux associés comme le diamant);
  • Matériaux ferroélectriques, piézoélectriques, diélectriques, incluant ceux sans plomb;
  • Matériaux chiraux, notamment multiferroïques;
  • Cristaux pour les bolomètres cryogéniques à chaleur-scintillation

Tirage d’un cristal de Li6Eu(BO3)3 par fusion de zone verticale dans un four à image - R. Belhoucif/M. Velazquez - ICMCB